《砷化鎵》高通CMOS PA成搶市殺手？言之過早

精實新聞 2013-02-23 12:18:44 記者 羅毓嘉 報導

手機晶片大廠高通(Qualcomm)宣告將在今年下半年推出CMOS功率放大器(PA)，晶片巨人挾CMOS材料的低成本優勢，一腳踩進PA市場，嚇傻了國際與台系砷化鎵族群股價。然而實際上，高通並未對該款新產品的功耗、以及高功率運作效能等數字做出說明，高通的CMOS PA是否如市場憂心將成「砷化鎵殺手」，看來仍待進一步證明。

高通在美國時間21日發佈新聞稿指出，該公司將在今年下半年推出以CMOS製程生產的PA，支援LTE-FDD、LTE-TDD、WCDMA、EV-DO、CDMA 1x、TD-SCDMA與GSM/EDGE等7種模式，頻譜並將涵蓋全球使用中的逾40個頻段，以多頻多模優勢宣示其揮軍行動PA產業的決心，對主宰PA市場多年的砷化鎵產業投下震撼彈。

高通此一訊息釋出，包括Skyworks、Avago、TriQuint、RFMD等砷化鎵IDM大廠21日股價均應聲倒地，全球磊晶龍頭IQE更在22日出現超過10%的單日跌幅；今日盤中台系砷化鎵族群亦受拖累，代工廠穩懋(3105)盤中大跌近5%，宏捷科(8086)、全新(2455)等相關供應鏈亦雙雙重挫3%以上。

觀察PA材料的演進史，在2000年前後矽材PA最高一度佔有20%份額的市場，不過隨砷化鎵供應鏈日漸成熟、成本瓶頸去化，到2007年矽材PA市佔率跌破10%，砷化鎵產品正式主宰PA市場；不過近2年來，CMOS產業界蠢蠢欲動力圖「逆襲」砷化鎵技術，高通在前段射頻元件專案佈局數年，終於宣告將推出新產品。

固然，高通將在下半年推出的CMOS PA「RF360」宣告了CMOS材料將重返戰場，與砷化鎵在PA產業正面交鋒，然而該款產品是否真如市場所擔憂的將成為砷化鎵產業殺手？

就物理性質而言，砷化鎵的高飽和電子速率及高電子移動率，在高頻PA領域的需求是CMOS等矽材料所無法比擬，光以電子移動速率來看，砷化鎵材料的物理表現就是矽材料的5倍，而這項物理性質對於需高頻、高功率運作的智慧型手機而言，是相當關鍵的特質，高通的CMOS PA能否滿足快速演變的高階行動裝置運作，就值得密切注意。

砷化鎵業界人士則認為，從高通發佈消息來看，該款CMOS PA產品並未與其手機晶片Snapdragon平台整合，而應是以獨立元件形式銷售，在對等競爭（亦即高通不以手機晶片綁PA的整合模組形式推出）狀況下，市場所憂心的高通CMOS解決方案將讓砷化鎵血流成河，恐怕是言之過早。

另一方面，儘管高通發佈了新產品將在下半年上市的訊息，卻並未同步揭露該款產品的功耗數據、運作效能等關鍵資訊，在無從評比RF360與砷化鎵PA的實際效能狀況下，高通新產品對砷化鎵的威脅性亦尚待釐清；唯一確定的是，高通繼主宰智慧型手機市場後，也矢志不在PA產業缺席，其野心將對PA市場版圖構成怎樣的震盪，下半年就可見分曉。


2013GaAs
2013高通