2010-04-14 台積電技術論壇 20奈米 finfet

 台積電跳過22奈米改發展20奈米 2012下半年導入生產
鉅亨網記者葉小慧 台北  2010-04-14 09:20  

台積電(TSM-US)(2330-TW)於美西時間13日在加州聖荷西市舉行技術研討會，會中宣布將跳過22奈米，直接發展20奈米製程。台積電表示，這是基於「為客戶創造價值」而作的決定，提供客戶一個更可行的先進製程選擇，預計於2012下半年導入生產。
台積電在加州聖荷西市舉行的技術研討會，有1500位客戶及合作廠商代表參與。台積電研發資深副總蔣尚義在會中表示，台積電20奈米製程將比22奈米製程擁有更優異的閘密度，以及晶片效能／成本比，為先進技術晶片的設計人員提供了一個可靠、更具競爭優勢的製程平台。

蔣尚義並指出，20奈米製程預計於2012年下半開始導入生產。

台積電指出，其20奈米製程，係在平面電晶體結構製程的基礎上，採用強化的高介電值/金屬閘、創新的應變矽晶與低電阻／超低介電值銅導線等技術。同時，在其他電晶體結構製程方面，例如鰭式場效電晶體及高遷移率元件，也展現了刷新記錄的可行性指標結果。台積電20奈米會用上finfet ( 3D fet)

從技術層面來看，由於具備了創新微影技術，以及必要的布局設計能力，台積電因此決定直接導入20奈米製程。

此外，蔣尚義指出，先進製程技術的開發已面臨關鍵時刻，亦即必須主動積極地考量其投資報酬率，並且需要跳脫單單考慮技術層面的思維模式；必須透過與客戶密切合作，以及在資源整合與最佳化方面的創新，同時解決來自技術及經濟層面的挑戰。