台積電前進1.4 奈米有「此法寶」不靠高數值孔徑EUV也不怕
2025/10/22 23:40
〔財經頻道／綜合報導〕台積電在跨入先進2奈米製程之後，將繼續邁向1.4奈米和1奈米（ A14和A10），雖然透過購買的ASML先進高數值孔徑曝光機（High-NA EUV），可以量產2奈米以下的晶片，但由於成本過高，台積電將利用光罩薄膜（Photomask Pellicles）來克服生產難題。
供應鏈指出，光罩受汙染意謂無法提升最終良率，因此，台積電自研光罩護膜（Pellicle），主因2奈米以下光罩開發成本昂貴，製程須加上防止灰塵與顆粒的護膜，做為關鍵防護程序。護膜用於防塵，有助提升EUV生產效率。
根據wccftech報導，較新的2奈米製程可繼續利用台積電現有的EUV曝光機進行量產，並提高良率。但隨著邁向1.4奈米和1奈米，它將面臨製造方面的障礙。根據一份新報告指出，台積電將不再購買ASML曝光機，而是轉向光罩薄膜技術。
2奈米晶圓預計2025年底全面投產，之後台積電將最終過渡到1.4奈米。公司已為邁向先進製程奠定基礎，預計於2028年左右開始量產。台積電初期投資高達1.5兆新台幣，目前正以閃電般的速度推進，在新竹工廠啟動1.4奈米製程的研發，併購置了30台EUV曝光機。
然而，台積電拒絕採取的一項措施是購買ASML高數值孔徑EUV曝光機，單一台售價高達4億美元。然而，這台設備將確保以更高的良率可靠地生產1.4奈米和1奈米晶圓。
台積電可能認為，這台設備的價值與其實際價值不符，因此，根據Dan Nystedt和台灣國內媒體報導，台積電正在轉向光罩護膜。低於2奈米製程必須使用光罩護膜，以防止灰塵和其他顆粒污染製程。
這是一個代價高昂的舉措，並且伴隨著許多複雜因素。例如，使用標準EUV機器生產1.4奈米和1奈米晶圓時，需要更多曝光，這意味著需要頻繁使用光罩模才能成功，這可能會影響良率。在此階段，必須使用防護膜，以防止上述灰塵顆粒和污染物進入晶圓製造階段。
報導指出，台積電可能會堅持這種做法，因為公司認為，相較於每台高數值孔徑EUV曝光機4億美元的投入，這是一個值得的替代方案。
高數值孔徑EUV曝光機的另一個缺點是，ASML每年只能生產5到6台，而台積電據稱將購買30台標準EUV曝光機，以滿足包括蘋果在內的眾多客戶日益增長的需求。因此，花費巨額資金購買數量有限的曝光機，對於其長期目標而言，無疑是徒勞的。
