高通RF由CMOS轉向砷化鎵之後，都影響了誰？

2016/02/17 來源：EDN電子設計技術

高通成功的低成本射頻元件方案「RF360」，是採用半導體CMOS製程的PA，與其他PA製造商Skyworks、Avago、RFMD等PA供應商採用砷化鎵（GaAs）製程不同。

但據EDN之前的報導，該產品並非標準CMOS製程，而是絕緣層覆矽(SOI)CMOS，該技術想要整合到AB或BP，存在一定的技術挑戰。

一語中的！

高通果然耐不住還是投向了砷化鎵的懷抱。

日前其與TDK合資，在新加坡設立了新公司「RF360 Holdings Singapore」，該信公司中，高通占有51%的股份，而TDK占49%。高通計劃在未來的新公司中持續投入30億美金。TDK旗下從事射頻模組業務的子公司EPCOS，會將部分業務分拆出來成立「RF360」。

高通對RF元件布局變了。

由於高通計劃在2017年推出新的砷化鎵PA，市場預期，今年會開始尋找合適代工廠，最快年底就會有樣品，明年就能上市。

對競爭對手及代工廠的影響

RF360之前是由台積電八寸廠製造，再搭配自家手機晶片出貨。

相較高通推出自家PA等RF元件，競爭對手聯發科則是採合作方式，在手機公板上認證Skyworks、Avago、RFMD及天津的唯捷創芯(Vanchip)的元件，避免周邊零組件供應出現長短腳現象。

這次高通RF元件策略轉向砷化鎵製程，將使得宏捷科、穩懋等代工廠有機會受益，至於對台積電的影響則有待觀察。

高通CEO Steve Mollenkopf回應時表示，與TDK合作推出的「gallium arsenide PAs」（即砷化鎵PA）將於2017年生產，這是一個比較合適的時間點，屆時會再尋找合適的應用市場。

最後，您認為對於那些鼓吹GaAs統治消費電子的時代「該結束了」的人來說，高通舉動釋放了什麼信號？



2013高通
2013GaAs