高通巨資建廠為了轉換RF器件工藝？

2016/02/02 來源：億芯網

據台灣《經濟日報》報導稱，高通（Qualcomm）功率放大器（PA）等射頻（RF）元件策略出現轉向，計劃由台積電COMS工藝代工轉為砷化鎵工藝製造。此前，高通將驍龍820手機晶片全部訂單交由三星電子代工。

高通2014年推出自家的射頻元件方案「RF360」，是採用半導體CMOS工藝的PA，具低成本優點，由台積電以八寸廠製造，再搭配自家手機晶片出貨，與其他PA製造商Skyworks、Avago、RFMD等PA供應商採用砷化鎵（GaAs）工藝不同。

近日，高通剛剛宣布與日本零組件大廠TDK合資，擬在新加坡設立新公司「RF360 Holdings Singapore」，其中TDK旗下從事射頻模組業務的子公司EPCOS，會將部分業務分拆出來成立「RF360」。

高通執行長莫倫科夫（Steve Mollenkopf）回應時表示，與TDK合作推出的「gallium arsenide PAs」（即砷化鎵PA）將於2017年生產，這是一個比較合適的時間點，屆時會再尋找合適的應用市場。

從莫倫科夫說法來看，高通旗下RF元件採用的PA工藝，將由現行CMOS轉向砷化鎵，在這個架構下，未來勢必還要調整代工廠，由目前的台積電轉至穩懋、宏捷科這類的砷化鎵代工廠。

由於高通計劃在2017年推出新的砷化鎵PA，市場預期，今年會開始尋找合適代工廠，最快年底就會有樣品，明年就能上市。

在智慧型手機進入4G時代，使用PA顆數至少七至八顆，比3G手機多出一到兩顆，加上這兩年4G手機數量呈跳躍式成長，帶動一波RF元件動能。

相較高通推出自家PA等RF元件，競爭對手聯發科則是采合作方式，在手機公板上認證Skyworks、Avago、RFMD及陸廠Vanchip的元件，避免周邊零組件供應出現長短腳現象。



2013GaAs, 2013高通,