次世代記憶體 2年內大戰

次世代記憶體 2年內大戰

三星東芝研發3D V-NAND　英特爾美光發表3D XPoint

2015年09月12日

次世代記憶體崛起，未來1、2年後市場將爆發，記憶體業另一波大戰已經隱然成型。莊宗達攝

世代交替
【范中興╱台北報導】記憶體進入10奈米，製程已達物理極限，國際大廠全力布局次世代記憶體，目前主流最易達商業量產的3D V-NAND，包括三星、SK海力士、東芝╱SanDisk均積極研發，且可小量生產。英特爾╱美光今年發表3D XPoint架構，革命性發展嚇壞眾家對手，未來1、2年後市場將爆發，記憶體另一波大戰已隱然成型。

三星2013年搶先宣布投入3D V-NAND量產，官方資料指出，3D V-NAND相較傳統10奈米方案可提高至少2~10倍可靠度，寫入速度亦有2倍以上的理想表現。三星3D V-NAND技術能提升應用產品20%的效能表現，並減少40%的功率損耗。今年8月10日三星更宣布，第3代V-NAND已正式量產，以48層3-bit MLC堆疊的256Gb 3D V-NAND，這款產品密度是傳統128Gb的1倍，除了單顆晶粒就具備256 Gb的記憶體儲存容量。

三星最快今年底測試
所謂3D架構，是將Cell（儲存單元）直接在晶圓上堆疊，利用電子穿孔技術串聯至最底層將電路連結，目前技術已達40~50層，業界預估不久後即可達百層，大大提高單一面積儲存容量。目前包括東芝、SK海力士的3D V-NAND產品都宣布可以量產，美光則在研發中。

DRAMeXchange研究協理楊文得報告中分析，三星3D-NAND Flash憑藉較佳性價比，在主要電腦代工業者的Client-SSD供應鏈中獲得多數訂單，迫使其他業者降價競爭，加速3D-NAND Flash的開發及推出時程，最快在今年第4季至明年第1季中前送樣測試，3D-NAND Flash的比重將首次突破10%。

但是英特爾、美光於7月29日宣布開發出新世代技術「3D XPoint」，儲存資料比DRAM高出10倍，讀寫速度與耐受度更是NAND Flash的1000倍，如此革新技術讓三星、SK海力士大為緊張。

次世代記憶體發展概況 英特爾下半年搶送樣
3D XPoint 類似次世代 ReRAM 或 PRAM 科技，能完全改變資料儲存方式，半導體專家相信，自從東芝在 1987 年首次展示 NAND Flash之後，3D XPoint 會是這 30 年間一個相當重要的變革。

英特爾預計今年下半年就能將 3D XPoint 記憶體原型配送給企業夥伴，預計採用 3D XPoint 的產品在 2016 年問世，三星、SK海力士原認為該次世代記憶體最快要到 2019 年才能量產，怎知英特爾與美光如此之快，也促使他們加快腳步投資次世代記憶體晶片。

3D XPoint不像DRAM，它不需要電晶體就可以執行讀寫，結構上近似3D NAND 技術，皆為 3D 架構，但不像 NAND以電荷將資訊儲存於元件，讀寫程序將變得更快，大有取代DRAM及NAND的架勢。