2000諾貝爾物理學獎

 Herbert Kroemer 

赫伯特·克羅默（Herbert Kroemer）於1928年8月25日出生於魏瑪的一個工匠家庭。他的父母沒有接受過大學教育，但他們意識到了教育的重要性，確保了赫伯特·克羅默擁有最好的教育機會。在學校裡，赫伯特·克羅默經常受到紀律處罰，因為他回憶說，他經常感到無聊。對於一個對科學特（別是數學和物理）著迷的年輕人來說，學校的課程和所討論的問題並沒有挑戰性。物理老師甚至允許年輕的赫伯特·克羅默幫忙準備課程並上部分的課程。

赫伯特·克羅默– 職業生涯的開始

赫伯特·克羅默於1947年中學畢業，進入耶拿大學學習物理。這已是蘇聯與西方衝突日益加劇的時期，學術中心越來越受到莫斯科共產黨當局的攻擊。學生和老師們都受到壓制，被拘留和驅逐出境。同時，德國人從東德逃往西柏林，並繼續逃往法國、英國和美國。 1950年代末，赫伯特·克羅默在柏林的西門子工廠實習，並決定是時候逃走了。他設法離開柏林前往哥廷根，在耶拿老師們的幫助下，他得以在喬治奧古斯特大學開始學習。

他的興趣在實驗物理學上，但該專業學生名額有限，這意味著他最終轉向了理論研究。他的畢業研究方向（晶體管）當時仍不是非常受歡迎（他在24歲的年齡就獲得了學位），但事實證明，晶體管是未來。

赫伯特·克羅默的遠見- HBT電晶體和雷射二極體

儘管赫伯特·克羅默(Herbert Kroemer) 取得了許多成就，但他無法發展他的學術生涯，因為大學沒有任何的職位空缺。然而，他設法在一個為德國郵政工作的研究團隊中找到了工作。在那，他面臨日益增長的電信業的實際挑戰，又能繼續進行研究。繼續的研究導致開發了能夠處理高頻訊號的HBT電晶體的首個理論。當時，缺乏製造此類元件的技術以及它們的實際應用，但今天我們很難想像在沒有HBT電晶體的情況下無線電頻率上運行的設備如何實現功能。這項發現使得赫伯特·克羅默有機會前往美國，他於1954年移居美國，並在普林斯頓、帕洛阿爾托和聖塔芭芭拉實驗室工作。在那，他於1963年取得了另一項重大成就，這次是半導體雷射。與HBT電晶體的情況一樣，這次赫伯特·克羅默的發現也曾面臨困難，計畫沒有獲得資金資助，因為缺乏可從此類解決方案中受益的技術。然而，這個計畫並沒有被遺忘，今天，基於赫伯特·克羅默所開發的理論，我們可在測距儀、數據閱讀器和光纖系統中應用雷射二極體。

在接下來的幾年裡，這位德國物理學家致力於發展半導體技術，探索使用鎵、銦和鋁化合物的可能性。 2000年，他與佐雷斯·阿爾菲奧羅（Żores Alfiorow）一起獲得了諾貝爾物理學獎，獎勵他對半導體和光電子學的研究所做出的貢獻。

如前所述，許多現代技術都是基於赫伯特·克羅默（Herbert Kroemer）的發現。不僅上述工具基於雷射技術，還有工業感測器和安全設備，這加速了許多商品的大規模生產。同時，由於專用模組，業餘人士和技術人員也能接觸到的GSM通訊仍然是近幾十年來最偉大的技術突破之一。赫伯特·克羅默也為現代電子產品中使用的所有通訊設備的小型化做出了貢獻。

當然，他個人並不是對基於他的發現所建立的應用範圍（例如：二極體和雷射模組和蜂窩網路中繼）負責，但他是那些在電腦開發領域又向前邁出重要一步的科學家之一。赫伯特·克羅默的經驗也在提醒我們，發明家在家庭工作坊中建造原型產品的時代已一去不復返了，而今天是科學、耐心和強大理論知識將技術推向新高度。

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