2024-05-24 路透：三星HBM晶片因發熱問題 未通過輝達測試

 鉅亨網編譯羅昀玫 2024-05-24 07:30 

《路透》週四 (23 日) 報導，因發熱問題，三星高頻寬記憶體 (HBM) 未能通過輝達 (MVDA-US)測試。

三位消息人士稱，自去年以來，三星一直在努力通過輝達對 HBM3 和 HBM3E 的測試。

消息人士透露，最近對三星 8 層和 12 層 HBM3E 晶片的失敗測試結果已於 4 月公布。 目前尚不清楚這些問題是否可以輕易解決，但消息人士表示，未能滿足輝達要求增加了業界和投資者的擔憂，即三星可能會進一步落後於競爭對手 SK 海力士和美光 (MU-US)。三星聲明中表示，HBM 是一款訂製記憶體產品，需要根據客戶需求進行優化流程，並補充說，該公司正在通過與客戶的密切合作來優化其產品。它拒絕對特定客戶發表評論。