2018-10-19 三星7奈米 量產

 根據三星的說明，EUV使用13.5奈米波長的光線來曝光矽晶片，而傳統的氟化氬（ArF）氣體雷射浸沒技術則只能實現193奈米波長，此外，EUV能夠只使用單一光罩模組來建立矽晶片層，透過ArF最多需要4個光罩模組，相較之下，7LPP將能減少20%的光罩模組，節省客戶的時間與成本。

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７奈米光罩數 DUV/EUV：4倍
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三星開始量產導入EUV微影技術的7奈米晶片，向台積電下戰帖

三星表示，極紫外光微影技術可以帶來更小的奈米波長光線，使用單一光罩模組，相較於傳統的氟化氬技術，節省時間與成本，運用這項技術的7奈米低功耗晶片和10奈米的FinFET製程相比，提供較大的產量，帶來效能的提昇或更低的功耗。

文/陳曉莉 | 2018-10-19發表

三星於周四（10/18）表示，已完成所有製程技術的開發，已開始量產導入極紫外光（Extreme Ultraviolet，EUV）微影技術的7奈米低功耗（7-nanometer Low Power Plus，7LPP）晶片。三星越過了傳統的7奈米製程技術，向台積電下戰帖，挑戰台積電目前於7奈米製程市場的龍頭地位。

根據三星的說明，EUV使用13.5奈米波長的光線來曝光矽晶片，而傳統的氟化氬（ArF）氣體雷射浸沒技術則只能實現193奈米波長，此外，EUV能夠只使用單一光罩模組來建立矽晶片層，透過ArF最多需要4個光罩模組，相較之下，7LPP將能減少20%的光罩模組，節省客戶的時間與成本。

因此，與10奈米的FinFET製程相較，導入EUV技術的7LPP因有較少的層數及較大的產量，大幅降低了製程的複雜度，且最多可提昇40%的面積效率，因而可增加20%的效能或減少50%的功耗。

負責晶圓代工業務的三星副總裁Charlie Bae表示，他們相信7LPP將不只是行動及高效能運算的最佳選擇，也將替各種尖端應用帶來契機，從5G、人工智慧、大規模資料中心、IoT、汽車到網路等。三星亦計畫在2020年替客戶量產基於EUV的各種客製化晶片。

三星在製程上的跳躍是為了趕上全球晶圓代工龍頭台積電，台積電為全球最早進入7奈米晶片市場的半導體業者，在今年4月率先量產7奈米晶片，也是蘋果7奈米A12 Bionic晶片的獨家供應商。根據AnandTech的報導，台積電已於特定非關鍵層採用EUV微影技術，相關晶片被歸類為第二代的7奈米製程晶片（7+奈米），並在今年10月上旬試產（Tapeout）。

此外，台積電也已準備在明年4月進入採用完整EUV微影技術之5奈米製程的風險生產（Risk Production）階段，預計於2020年的第二季量產。

在全球第二大晶圓代工廠格羅方德（GlobalFoundries）於8月宣布將無限期擱置7奈米FinFET製程之後，讓7奈米晶片市場成為台積電、三星與英特爾三方競逐的局面，且目前看來英特爾也已被台積電及三星遠拋在後。