英特爾將擴產 先進快閃記憶體

英特爾將擴產 先進快閃記憶體

2015-10-21 15:10:51 聯合晚報 記者徐睦鈞／台北報導

據外電報導指出，全球半導體龍頭英特爾宣布將擴大NAND Flash快閃記憶體產能，預計砸下55億美元資金，把位在中國大連的12吋晶圓廠，改造成最頂尖的記憶體晶片廠，預計2016年下半年開始生產最先進製程的NAND Flash。

英特爾大連12吋晶圓廠自2010年開始營運，主要生產英特爾所需的晶片組，此次決定將生產線改頭換面，將在2016下半年投產3D NAND。英特爾預估前3～5年計畫投資35億美元，之後還可能再追加至55億美元。

英特爾將在改造大連12吋廠自產先進製程NAND Flash，引發外界認為其與美光的合作是否生變。圖為英特爾之前宣布與美光合作DRAM與NAND合一記憶體的構造圖。

否認與美光的合作生變

英特爾過去幾年雖然投入NAND Flash市場，生產伺服器用固態硬碟（SSD），但NAND Flash晶圓生產主要是由英特爾及美光合資的IM Flash代工。此次英特爾轉向決定自己生產NAND Flash，也引發外界認為其與美光的合作關係是否生變。為破除外界疑慮，英特爾非揮發記憶體部門副總Rob Crooke表示，英特爾與美光的合作關係穩定，只是英特爾需要額外的貨源服務全球客戶。至於美光也考慮未來向英特爾大連廠拿貨。

由於中國內需市場胃納量龐大，近期全球主要半導體廠都積極布局中國的記憶體市場，在伺服器以及智慧型手機的出貨需求持續攀升下，研究機構DRAMeXchange預估，2015年中國內需市場在DRAM與NAND的總消化量換算產值高達120億與66.7億美元，分別占全球產值的21.6%與29.1%。

固態硬碟快閃成長強勁

DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，從DRAM需求來觀察，近年來中國品牌不論在個人電腦或是智慧型手機領域出貨量不斷增長。聯想在個人電腦市場與第一名的惠普出貨量在伯仲之間，並穩居中國市占冠軍，代表中國品牌廠自有採購實力逐年增強。

她表示，NAND Flash市場隨著15/16奈米成為現階段的主流製程，以及3D-NAND Flash進度加速的情況下，以固態硬碟為首的相關NAND Flash終端應用成長力道更為強勁。除了智慧型手機的eMMC閃存容量持續拉升外，固態硬碟在筆記型電腦的滲透率也快速攀揚。

中國NAND Flash需求撩人

中國成為各家智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦業者的重點市場，特別是蘋果近兩年針對中國零售鋪點與產品設計等著墨的力道也增加不少，而中國品牌的智慧型手機業者也隨著海外布局的提升，在其產品規格甚至有凌駕國際品牌的趨勢，各項市場面的因素都讓中國市場的NAND Flash消耗量快速提升。