英特爾加碼中國55億美元攻記憶體

英特爾加碼中國55億美元攻記憶體

2015年10月22日 04:10 記者林殿唯／綜合報導

全球半導體巨擘英特爾（Intel）宣布斥資至少35億美元，將位於中國大陸遼寧省大連的產線升級成最先進的3D-NAND快閃記憶體晶片。此舉顯示英特爾在中國的投資布局大幅轉向，搶食中國儲存記憶體市場大餅的意圖昭然若揭。

創在中國最高投資金額

英特爾昨（21）日表示，將與大連市官方合作，把大連的晶圓廠升級為生產3D多層次NAND快閃記憶體晶片，最快將在2016年下半年開始量產。而本次戰略調整預計將在未來3～5年內投入至少35億美元，整體投資額最高可能達到55億美元（約合新台幣1,818億元），將創下該公司在中國投資金額的新高紀錄。

全球第一座最先進技術

大連廠區是2010年英特爾在中國啟用的第1個、也是唯一的生產線，原本以12吋晶圓加上65奈米製程來生產處理器用的晶片。這次將產線轉變為生產的3D多層次NAND快閃記憶體晶片，則是目前業界的最先進技術，對於原本製程技術較為落後的大連廠區來說，不但是製程技術上的大躍進，更反映英特爾對於該廠的高度期望。

英特爾表示，大連廠轉型後，將成為該公司在全球第1個採用300毫米晶圓先進技術來生產NAND儲存記憶體的製造中心。

市場分析，在智慧型手持設備銷量大幅成長的情況下，市場對NAND快閃記憶體的需求直線上升，而英特爾這次將大連廠進行大幅升級，明顯是看好未來中國NAND快閃記憶體的市場需求。

大陸快閃記憶體消耗驚人

科技新報引述TrendForce的數據指出，2015年中國市場的NAND快閃記憶體總消耗量換算為產值高達66.7億美元、占全球的29.1％，明年更有望達到全球的3分之1，成長幅度驚人。

市場人士指出，三星電子、SK海力士、東芝新帝等是目前業內生產NAND快閃記憶體最主要的廠商，而英特爾這次藉由大連廠大舉擴張，恐將使得使得未來NAND快閃記憶體市場的競爭更為激烈。