創造半導體兩次大躍進 台積電林本堅10奈米要再衝一次

創造半導體兩次大躍進　台積電林本堅10奈米要再衝一次

新聞來源: 電子時報 (2013.06.25)

台積電奈米影像技術研究發展副總林本堅在兩次半導體技術大轉折上，都扮演重要的功臣，一次2002年大膽提出浸潤式微影技術衝破65奈米的撞牆期，第二次是讓微影技術從28奈米的極限成功駛向20奈米，林本堅下一個突破半導體微影技術限制，甚至是挑戰自我的第三次「big through」，將引領浸潤式進入10奈米製程世代！

林本堅提出以水為介質的193奈米浸潤式曝光機，是半導體製程技術可以一直微縮至28奈米、20奈米、16奈米等先進製程的重要關鍵突破，根據IEEE統計，現今半導體產業85%的電晶體都是用193奈米浸潤式曝光機生產。

再者，193奈米浸潤式曝光機也是半導體產業壽命最常的微影設備，對比之前248曝光機、193乾式曝光機等，193奈米浸潤式技術可以從65奈米、40奈米、28奈米、16奈米、10奈米製程，延續的技術製程世代相當廣。

林本堅是一個喜歡自我突破極限的人，在自己的工作職場和對創新的執著上，他有兩次「big through」，都打破半導體製程微縮限制。

第一次是2002年全球半導體產業轉進65奈米採用傳統157奈米「乾式」曝光機面臨撞牆期時，提出以水為介質的浸潤式技術，轉個彎採用193奈米浸潤式曝光機生產，突破半導體產業的瓶頸。

第二個「big through」則是在這幾年。其實193奈米浸潤式曝光機做到28奈米製程幾乎已達頂點，但林本堅再一次突破極限，成功讓浸潤式技術轉進20奈米製程，未來也要轉進16奈米。