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Gate Last製程
李洵穎 2010-04-28
台積電27日召開法說會，由董事長張忠謀親自主持，除了財務長何麗梅依例與會之外，特別的是資深研發副總經理蔣尚義也首度列席參加法說會，說明台積電Gate Last技術發展藍圖。
近期互相較勁激烈的Gate First和Gate Last等2大陣營，前者以IBM、超微(AMD)和Globalfoundries為主要擁護者，而後者為首的是英特爾(Intel)和台積電。
過去台積電傾向於Gate First技術，近期倒戈至Gate Last。蔣尚義說，Gate Last技術並不比Gate First成本為貴，但技術難度相對較高，一旦經歷過學習曲線後，兩者所花費的成本是一樣的。
他認為，未來兩大陣營就看誰領先開始生產，下一代製程會讓哪一邊投向對方陣營，他相信22奈米和20奈米等下一代新製程將不會有Gate First存在。
台積電計劃2010年6月試產28奈米製程，該製程中的柵極絕緣層將採用SiON材料，即28LP製程。
至於28奈米高效能(HP)製程則將在2010年9月試產，而低耗電高介電層/金屬閘(28HPL)製程的試產時程則在2010年12月進行。(李洵穎)
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