2008-12-11 英特爾備好32奈米製程 明年投產

 英特爾備好32奈米製程　明年投產

英特爾預計將於下週舉行的國際電子元件會議 (IEDM) 中，公佈更多與 32奈米製程相關的技術細節。

文/范眠 | 2008-12-11發表

.英特爾（Intel）週三（12/10）宣佈，已完成32奈米製程的技術開發，並預計於2009年第四季開始投產代號為Westmere的新款處理器。

英特爾預計將於下週舉行的國際電子元件會議 (IEDM) 中，公佈更多與 32奈米製程相關的技術細節，以及如何從現有的 45奈米技術移轉至最新的 32奈米。

英特爾的32奈米技術包括：第二代高介電值 (high-k) /金屬閘極技術、重要圖層(patterning layers)採用 193奈米沉浸式微影技術 (immersion lithography) 、以及增強的電晶體應變 (strain) 技術，以強化英特爾處理器的效能與能源效率。

事實上，英特爾從45奈米製程便開始採用high-k/金屬閘極技術，這是在先進製程中降低電晶體漏電流的重要技術。根據EE Times報導，英特爾的資深院士Mark Bohr表示，AMD和IBM截至目前都仍還在開發階段。在這方面，英特爾領先其他競爭業者超過一個世代的技術。

英特爾32奈米製程電晶體的間距為112.5奈米，相較於其45奈米製程，可提供七成的線性尺寸微縮以及五成的面積縮減。同時，它的驅動電流也是目前業界最高的。(編譯/范眠)